Китайский концерн планирует приобрести компании Toshiba и SanDisk

Провалив сделку по приобретению Micron Technology, китайский государственный концерн Tsinghua Unigroup может приобрести других производителей чипов памяти.

1444528672_news1443261366.jpg
Владивосток, ИА Приморье24. По данным портала DigiTimes, следующими целями для поглощения Tsinghua являются компании SanDisk и Toshiba.

Как сообщают отраслевые источники издания, за счёт покупки SanDisk и Toshiba, которые занимаются совместной разработкой памяти NAND flash, Китай надеется ускорить развитие местной полупроводниковой индустрии. Впрочем, для этого необязательно покупать компании целиком, а достаточно лишь заполучить подразделения по выпуску памяти

.

Собеседники DigiTimes говорят, что Tsinghua собирается купить 10–12% акций Micron, а также сформировать стратегический союз с американским вендором и построить совместный завод по выпуску 12-дюймовых кремниевых пластин. Всё это поможет Поднебесной заняться собственным производством DRAM-памяти.

Для налаживания сотрудничества с Micron к Tsinghua присоединится Чарльз Кау (Charles Kau), председатель правления тайваньской компании Inotera Memories, специализирующейся на выпуске чипов оперативной памяти.В то же время, как отмечается, правительство понимает трудности касательно партнёрства с Micron в области NAND flash, поскольку у компании нет собственных технологических процессов для изготовления памяти. В связи с этим Tsinghua присматривается к покупке Toshiba и SanDisk.
Все новости
Другие материалы рубрики "АТР"
e8ba48315aa6e3577ec872b3d161b8e5.jpg

На Токийской бирже произошло рекордное падение акций "из-за Трампа"

Неопределенность политики новой администрации США повышает риски инвесторов

img.jpg

Паром Sewol: останки крупнейшей в Южной Корее морской катастрофы поднимут на поверхность

После того, как судно достигнет поверхности, его погрузят в плавучий док и перевезут в порт Мокпхо

Робот не смог обнаружить ядерное топливо в энергоблоке АЭС "Фукусима-1"

Максимальный уровень радиации воды под защитной оболочкой 1-го энергоблока составляет 11 зиверт в час